低噪聲放大器(lna) 文章 進入低噪聲放大器(lna)技術社區(qū)
瑞薩電子擴展射頻產(chǎn)品組合,覆蓋宏基站完整信號鏈

- 全球半導體解決方案供應商瑞薩電子集團近日宣布,推出四款全新高可靠性、高性能產(chǎn)品,以加強其傳統(tǒng)宏基站(BTS)射頻產(chǎn)品組合,為客戶帶來完整射頻信號鏈解決方案。此次擴展包括業(yè)界首款四通道F4482/1 TX可變增益放大器(VGA)和F011x系列雙通道一級低噪聲放大器(LNA)。新系列產(chǎn)品還包括F1471 RF驅(qū)動放大器——首款P1dB超過1/2W的大功率前置驅(qū)動器,以及采用更小的封裝、具有更高隔離度、適用于DPD反饋路徑的F2934 RF開關。擴展后的產(chǎn)品組合可提供5G宏基站系統(tǒng)所需的高性能、高可靠性、靈活
- 關鍵字: LNA BTS VGA
無線設計中LNA和PA的基本原理

- 對性能、小型化和更高頻率的需求,正挑戰(zhàn)無線系統(tǒng)中兩個關鍵天線連接元器件的限制:功率放大器(PA) 和低噪聲放大器(LNA)。5G的發(fā)展以及PA 和LNA 在微波無線電鏈路、VSAT(衛(wèi)星通信系統(tǒng))和相控陣雷達系統(tǒng)中的使用正促成這種轉變。這些應用的要求包括較低噪聲(對于LNA)和較高能效(對于PA)以及在高達或高于10 GHz 的較高頻率下的運行。為了滿足這些日益增長的需求,LNA 和PA 制造商正在從傳統(tǒng)的全硅工藝轉向用于LNA 的砷化鎵(GaAs) 和用于PA 的氮化鎵(GaN)。本文將介紹LNA 和P
- 關鍵字: LNA PA
加速LTE-A/5G設計 射頻LNA/PA需求爆發(fā)
- 射頻(RF)元件需求急速增長。先進長程演進計劃(LTE-Advanced, LTE-A)商轉啟動,下一代5G標準亦蓄勢待發(fā),驅(qū)動行動裝置射頻系統(tǒng)規(guī)格升級。系統(tǒng)廠為支援100MHz超大頻寬、四十個以上頻段并降低雜訊干擾,除計劃增加低雜訊放大器(LNA)和功率放大器(PA)等射頻元件用量外,亦將要求射頻前端模組(FAM)提高功能整合度,吸引晶片商加緊展開卡位。?英飛凌(Infineon)電源管理及多元電子事業(yè)處射頻暨保護元件協(xié)理麥正奇表示,隨著多頻多模LTE及LTE-A設計加溫,手機廠對FAM各類元
- 關鍵字: LNA/PA
基于ADS的C波段的低噪聲放大器仿真設計研究
- 低噪聲放大器是接收機中最重要的模塊之一,文中采用了低噪聲、較高關聯(lián)增益、PHEMT技術設計的ATF35176晶體管,設計了一種應用于5.5~6.5 GHz頻段的低噪聲放大器。為了獲得較高的增益,該電路采用三級級聯(lián)放大結構形式,并通過ADS軟件對電路的增益、噪聲系數(shù)、駐波比、穩(wěn)定系數(shù)等特性進行了研究設計,最終得到LNA在該頻段內(nèi)增益大于32.8 dB,噪聲小于1.5 dB,輸入輸出駐波比小于2,達到設計指標。
- 關鍵字: 低噪聲放大器 ADS PHEMT 負反饋網(wǎng)絡 匹配電路
低噪聲放大器(lna)介紹
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