- 近日，中科院半導體所超晶格國家重點實驗室博士生康俊，在李京波研究員、李樹深院士和夏建白院士的研究團隊中，與美國勞倫斯伯克利國家實驗室(LBNL)汪林望博士研究組合作，在二維半導體異質結的基礎研究中取得新進展。相關成果發(fā)表在9月30日美國化學學會主辦的《納米快報》(Nano Letters)上。
半導體異質結是由不同半導體材料接觸形成的結構。由于構成異質結的兩種半導體材料擁有不同的禁帶寬度、電子親和能、介電常數、吸收系數等物理參數，異質結將表現出許多不同于單一半導體材料的性質。在傳統(tǒng)半導體領域，以
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二維半導體異質結 半導體材料
二維半導體異質結介紹
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