三極管 文章 進(jìn)入三極管技術(shù)社區(qū)
【E電路】三極管欠壓復(fù)位電路
- 欠壓復(fù)位電路工作原理(如圖所示)w 接通電源,+5V電壓從“0V”開始上升,在升至3.6V之前,穩(wěn)壓二極管DH03都處于截止?fàn)顟B(tài),QH01(PNP管)也處于截止?fàn)顟B(tài),無復(fù)位電壓輸出。 當(dāng)+5V電源電壓高于3.6V以后,穩(wěn)壓二極管DH03反向擊穿,將其兩端電壓“箝位”于3.6V。 當(dāng)+5V電源電壓高于4.3V以后,QH01開始導(dǎo)通,復(fù)位電壓開始形成,當(dāng)+5V電源電壓接近+5V時,QH01已經(jīng)飽和導(dǎo)通,復(fù)位電壓達(dá)到穩(wěn)定狀態(tài)。
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冷門知識,三極管也有特殊用法
- 三極管是信號放大元件和電子開關(guān)元件。不過它還有一些特殊的用法,能夠做成一些可獨立使用的兩端或三端器件,代替其它類型元件使用。 擴流 把一只小功率可控硅和一只大功率三極管組合,就可得到一只大功率可控硅,其最大輸出電流由大功率三極管的特性決定,見附圖1。圖2為電容容量擴大電路。利用三極管的電流放大作用,將電容容量擴大若干倍。這種等效電容和一般電容器一樣,可浮置工作,適用于在長延時電路中作定時電容。用穩(wěn)壓二極管構(gòu)成的穩(wěn)壓電路雖具有簡單、元件少、制作經(jīng)濟(jì)方便的優(yōu)點,但由于穩(wěn)壓二極管穩(wěn)定電流一般只有
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三極管飽和和深度飽和狀態(tài)的理解和判斷
- 本文介紹了三極管飽和及深度飽和狀態(tài)的理解和判斷。 三極管飽和問題總結(jié): 1.在實際工作中,常用Ib*β=V/R作為判斷臨界飽和的條件。根據(jù)Ib*β=V/R算出的Ib值,只是使晶體管進(jìn)入了初始飽和狀態(tài),實際上應(yīng)該取該值的數(shù)倍以上,才能達(dá)到真正的飽和;倍數(shù)越大,飽和程度就越深。 2.集電極電阻 越大越容易飽和; 3.飽和區(qū)的現(xiàn)象就是:二個PN結(jié)均正偏,IC不受IB之控制 問題:基極電流達(dá)到多少時三極管飽和? 解答:這個值應(yīng)該是不固定的,它和集電極負(fù)載
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【E問E答】三極管開關(guān)電路和場效應(yīng)管電路優(yōu)劣比較?
- 一般我們在做電路設(shè)計時候,三極管開關(guān)電路和MOS管開關(guān)電路有著以下四種區(qū)別:首先是三極管是用電流控制,MOS管屬于電壓控制;然后就是成本問題,三極管便宜,MOS管貴;其次是功耗問題,三極管損耗大;最后是驅(qū)動能力,MOS管常用來電源開關(guān),以及大電流地方開關(guān)電路。實際上就是三極管比較便宜,用起來方便,常用在數(shù)字電路開關(guān)控制?! OS管用于高頻高速電路,大電流場合,以及對基極或漏極控制電流比較敏感的地方。一般來說低成本場合,普通應(yīng)用的先考慮用三極管,不行的話考慮MOS管。實際上說電流控制慢,電壓控制快這種
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嵌入式設(shè)計入門之三極管基礎(chǔ)電路設(shè)計
- 在嵌入式電路中,三極管一般作為開關(guān)器件和功率器件使用,下面就從這兩個方面講解嵌入式中三極管基礎(chǔ)電路的設(shè)計。 開關(guān)器件 在嵌入式電路中經(jīng)常使用IO口來控制某些電路的開關(guān)功能,此時三極管可作為開關(guān)器件來使用。作為開關(guān)器件使用時需使用開關(guān)三極管如9014和9015等小功率器件,此時三極管處于飽和狀態(tài)?,F(xiàn)舉一例來說明該類電路特點: 為仿真電路圖不是很完整,該電路為晶振關(guān)閉功能電路,其中VO接MCU晶振輸入端如(XIN)?! ∪鬛1和Q3基極同時為低時,Q2導(dǎo)通
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小功率三極管自動判斷管腳的電路設(shè)計方案
- 在電子技術(shù)中,三極管是使用極其普遍的一種元器件,三級管的參數(shù)與許多電參量的測量方案、測量結(jié)果都有十分密切的關(guān)系,因此,在電子設(shè)計中,三極管的管腳、類型的判斷和測量非常重要。測量三極管管腳的方法有多種,其中實驗室常用的是利用萬用表和三極管各管腳的特點進(jìn)行測量,但由于三極管各個引腳間的電壓、電流關(guān)系復(fù)雜,且三極管本身體積較小,給測量帶來很大不便,而目前市場上還沒有對三極管管腳、類型自動判別的裝置。因此,設(shè)計出一款能夠自動判別三極管管腳、類型的電路顯得尤為重要?! ?硬件電路組成原理 根據(jù)目前常用三極管的
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MOSFET和三極管ON狀態(tài)有什么區(qū)別?
- MOSFET和三極管,在ON 狀態(tài)時,MOSFET通常用Rds,三極管通常用飽和Vce。那么是否存在能夠反過來的情況,三極管用飽和Rce,而MOSFET用飽和Vds呢? 三極管ON狀態(tài)時工作于飽和區(qū),導(dǎo)通電流Ice主要由Ib與Vce決定,由于三極管的基極驅(qū)動電流Ib一般不能保持恒定,因而Ice就不能簡單的僅 由Vce來決定,即不能采用飽和Rce來表示(因Rce會變化)。由于飽和狀態(tài)下Vce較小,所以三極管一般用飽和Vce表示?! OS管在ON狀態(tài)時工作于線性區(qū)(相當(dāng)于三極管的飽
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【E問E答】三極管基極下拉電阻接地的作用是什么
- 1)防止三極管受噪聲信號的影響而產(chǎn)生誤動作,使晶體管截止更可靠!三極管的基極不能出現(xiàn)懸空,當(dāng)輸入信號不確定時(如輸入信號為高阻態(tài)時),加下拉電阻,就能使有效接地。 特別是GPIO連接此基極的時候,一般在GPIO所在IC剛剛上電初始化的時候,此GPIO的內(nèi)部也處于一種上電狀態(tài),很不穩(wěn)定,容易產(chǎn)生噪聲,引 起誤動作!加此電阻,可消除此影響(如果出現(xiàn)一尖脈沖電平,由于時間比較短,所以這個電壓很容易被電阻拉低;如果高電平的時間比較長,那就不能拉低了,也 就是正常高電平時沒有影響)!但是電阻不能過小,影響
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一種簡單的模擬接觸開關(guān)電路設(shè)計
- 在學(xué)習(xí)了一段時間的電路知識后,相信很多朋友都希望能夠親自動手制作電路。但是由于知識與經(jīng)驗的限制,過于復(fù)雜的設(shè)計并不適合初學(xué)者動手,一些較為簡單的設(shè)計反而是更好的選擇。本文就將為大家介紹一款簡單的模擬接觸開關(guān)電路圖,感興趣的朋友快來看一看吧?! ?nbsp; 如圖1,是利用晶體三極管開關(guān)特性的簡易模擬觸摸形狀電路?! ‘?dāng)接通電源時,VTl-VT4均處于截止?fàn)顟B(tài),繼電器線圈中無電流通過,繼電器常開觸點斷開,發(fā)光二極管VD2不亮。當(dāng)用手指觸摸一下“開”開關(guān),電源經(jīng)手指電阻(約幾
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嵌入式電路設(shè)計之三極管基礎(chǔ)電路
- 在嵌入式電路中經(jīng)常使用IO口來控制某些電路的開關(guān)功能,此時三極管可作為開關(guān)器件來使用。作為開關(guān)器件使用時需使用開關(guān)三極管如9014和9015等小功率器件,此時三極管處于飽和狀態(tài)?,F(xiàn)舉一例來說明該類電路特點。 為仿真電路圖不是很完整,該電路為晶振關(guān)閉功能電路,其中VO接MCU晶振輸入端如(XIN)。 若Q1和Q3基極同時為低時,Q2導(dǎo)通而使得VO為0造成晶振停振關(guān)閉處理器。我們分析R3和R4(實際電路470K)使得Q2和Q3處于飽和態(tài);Q3為Q1集電極負(fù)載
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【E問E答】集電結(jié)反偏不是截止?fàn)顟B(tài)嗎,三極管怎么還能放大?
- 見過多次這樣的問題了,基本上都是問:放大時,發(fā)射結(jié)正偏、集電結(jié)反偏。但是,集電結(jié)反偏,這不是截止?fàn)顟B(tài)嗎,三極管怎么還能放大?翻了幾本書,確實,書上都沒有仔細(xì)介紹反偏、截止的工作過程。下面,簡單說說這個問題。 PN結(jié)正偏時,P區(qū)里面較多的正電荷(空穴),會擴散到N區(qū),和N區(qū)大量的負(fù)電荷(自由電子)復(fù)合?! ‘?dāng)然,N區(qū)電子,也會向P區(qū)擴散,在P區(qū)和空穴復(fù)合。 外接電源的方向,正好為這種擴散運動提供支持,并源源不斷的補充這些復(fù)合掉的載流子?! ∵@就是PN結(jié)的正向?qū)?。正向電流,就是由多?shù)載流子“擴散”形
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