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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 三星 sdi

三星放棄屏下識別 GIS恐丟單

  • 韓媒報(bào)導(dǎo),三星為避免今年兩款旗艦機(jī)首度導(dǎo)入超音波指紋屏下識別功能,卻爆發(fā)資安問題的狀況再發(fā)生,明年S11、Note 11兩款新機(jī)將改采3D臉部識別。三星手機(jī)生物識別方向大轉(zhuǎn)彎,原屏下指紋識別模組供應(yīng)商GIS-KY恐痛失訂單,也讓屏下指紋識別發(fā)展之路充滿荊棘。
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三星:明年會(huì)大幅提升可折疊手機(jī)產(chǎn)量

  • 據(jù)GSMArena報(bào)道,三星電子移動(dòng)業(yè)務(wù)部門首席執(zhí)行官高東真在三星AI論壇上表示,明年將會(huì)大幅增加可折疊手機(jī)的產(chǎn)量。
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vivo要首發(fā)三星雙模5G SOC:采用Cortex A77架構(gòu) 行業(yè)首款

  • 11月7日消息,vivo聯(lián)合三星于今天下午在北京舉行雙模5G AI芯片媒體溝通會(huì)。
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三星解散自研CPU團(tuán)隊(duì),或回歸ARM公版

  • Wccftech消息,三星解散自研CPU團(tuán)隊(duì),未來將會(huì)使用ARM架構(gòu)。
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三星新本集成Intel 5核心:10nm+14nm肩并肩

  • 三星在開發(fā)者大會(huì)上披露了多款未來新產(chǎn)品,Galaxy Book S筆記本無疑是非常特殊的一個(gè),它將配備Intel Lakefiled 3D封裝處理器,并集成Intel 4G/LTE基帶,支持全天候連接。Lakefiled處理器早在今年初的ES 2019大展上就已宣布,首次采用全新的3D Foveros立體封裝,內(nèi)部集成10nm工藝的計(jì)算Die、14nm工藝的基礎(chǔ)Die兩個(gè)裸片。它同時(shí)提供一個(gè)高性能的Sunny Cove/Ice Lake CPU核心、四個(gè)高能效的Tremont CPU核心(均為10nm)和
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臺積電殺進(jìn)3納米 決戰(zhàn)三星

  • 臺積電在7納米、5納米制程完封三星后,目前更加快3納米研發(fā),以延續(xù)領(lǐng)先地位,不讓對手三星有先縫插針搶單的機(jī)會(huì),據(jù)電子時(shí)報(bào)報(bào)導(dǎo),臺積電3納米傳出提前啟動(dòng),位于南科30公頃用地,可望提前4個(gè)月、預(yù)計(jì)于今年底即可完成交地,擺明就是沖著三星而來。
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DDR5內(nèi)存2020年開始生產(chǎn) AMD Zen4/Intel最快2021年跟進(jìn)

  • 最近一年來,DDR4內(nèi)存芯片持續(xù)降價(jià),如今8GB DDR4單條內(nèi)存也不復(fù)三年前接近千元的售價(jià)之勇,只要200多塊就可以搞定。很多玩家對DDR4內(nèi)存也沒感覺了,期待早點(diǎn)用上DDR5內(nèi)存,不過DDR5內(nèi)存的進(jìn)展沒有想象的那么快,2020年各大存儲(chǔ)芯片廠商才會(huì)量產(chǎn)DDR5內(nèi)存,兩三年后才能普及。主導(dǎo)內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)制定的JEDEC規(guī)范組織雖然之前宣布2018年正式發(fā)布DDR5標(biāo)準(zhǔn),但實(shí)際上并沒有,最終規(guī)范要到2020年才能完成,其目標(biāo)是將內(nèi)存帶寬在DDR4基礎(chǔ)上翻倍,速率3200Mbps起,最高可達(dá)6400Mbps,電
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全球自動(dòng)駕駛技術(shù)專利權(quán)企業(yè)排行出爐 現(xiàn)代、三星、LG闖入前十

  • 據(jù)國外媒體報(bào)道,現(xiàn)代汽車、三星電子和LG電子已經(jīng)躋身全球擁有自動(dòng)駕駛技術(shù)相關(guān)專利最多的十家企業(yè)之列。
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三星正式發(fā)布Exynos 990旗艦處理器

  • 據(jù)sammobile報(bào)道,三星公司在加利福尼亞州圣何塞舉行的2019年“三星技術(shù)活動(dòng)”上正式推出了Exynos 990旗艦處理器。三星表示Exynos 990處理器和Exynos Modem 5123芯片將于今年年底進(jìn)入批量生產(chǎn)。
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三星的6nm、5nm、4nm工藝都是7nm改良:3nm棄用FinFET

  • 7nm工藝的產(chǎn)品已經(jīng)遍地開花,Intel的10nm處理器也終于在市場登陸,不過,對于晶圓巨頭們來說,制程之戰(zhàn)卻越發(fā)膠著。在日前一場技術(shù)交流活動(dòng)中,三星重新修訂了未來節(jié)點(diǎn)工藝的細(xì)節(jié)。三星稱,EUV后,他們將在3nm節(jié)點(diǎn)首發(fā)GAA MCFET(多橋通道FET)工藝。由于FinFET的限制,預(yù)計(jì)在5nm節(jié)點(diǎn)之后會(huì)被取代。實(shí)際上,5nm在三星手中,也僅僅是7nm LPP的改良,可視為導(dǎo)入第二代EUV的一代。7nm LPP向后有三個(gè)迭代版本,分別是6nm LPP、5nm LPE和4nm LPE。相較于年初的路線圖,
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三星聯(lián)合ARM與新思科技開發(fā)5納米制程優(yōu)化工具

  • 在半導(dǎo)體先進(jìn)制程上的進(jìn)爭,目前僅剩下臺積電、三星、以及英特爾。不過,因?yàn)橛⑻貭栆宰约汗镜漠a(chǎn)品生產(chǎn)為主,因此,臺積電與三星的競爭幾乎成為半導(dǎo)體界中熱門的話題。
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2019年Q2基帶市場份額:高通和三星爭奪5G基帶市場領(lǐng)導(dǎo)權(quán)

  • Strategy Analytics手機(jī)元件技術(shù)研究服務(wù)最新發(fā)布的研究報(bào)告《2019年Q2基帶市場份額追蹤:高通和三星爭奪5G基帶市場領(lǐng)導(dǎo)權(quán)》指出,2019年Q2全球蜂窩基帶處理器市場收益年同比下降4%,為50億美元。Strategy Analytics的報(bào)告指出,2019年Q2全球蜂窩基帶處理器市場收益份額位居前五名的為:高通、海思半導(dǎo)體、聯(lián)發(fā)科、三星LSI和英特爾。2019年Q2高通以43%的收益份額保持全球基帶市場的領(lǐng)導(dǎo)地位,海思半導(dǎo)體以15%的收益份額排名第二,聯(lián)發(fā)科以14%緊隨其后?!?nbsp
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投入92億元 三星擴(kuò)建電動(dòng)車電池工廠

  • 日前,據(jù)外媒報(bào)道,三星SDI對外宣布,公司計(jì)劃投入3900億匈牙利福林(約合人民幣92億元),用于擴(kuò)建匈牙利首都布達(dá)佩斯市郊的電動(dòng)車電池工廠。據(jù)悉,這筆投資將創(chuàng)建約1200個(gè)工作崗位,工廠建成后年產(chǎn)能將滿足5萬輛電動(dòng)車的電池配置需求。 根據(jù)此前報(bào)道,匈牙利電池工廠的銷售范圍主要面向當(dāng)?shù)丶皻W洲各國,三星SDI于2016年投入了1000億匈牙利福林(約合人民幣24億元)在匈牙利建立電動(dòng)車電池工廠。截至目前,公司在匈牙利的總投資額已經(jīng)達(dá)到10億歐元(約合人民幣78億元),未來還將繼續(xù)擴(kuò)大投資,使匈牙利電池工廠
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傳三星將推出Galaxy Note10 Lite版 將有黑紅兩種配色

  • 據(jù)外媒sammobile消息,三星正開發(fā)Galaxy Note10 Lite版系列手機(jī)。該款手機(jī)有望比Galaxy Note 10和Galaxy Note 10+更便宜。這款手機(jī)型號已經(jīng)確認(rèn),為“SM-N770F”,將有黑色和紅色兩種配色,將提供128 GB的內(nèi)置內(nèi)存,此外沒有關(guān)于規(guī)格的信息。三星正開發(fā)Galaxy Note10 Lite版系列手機(jī)就產(chǎn)品理念而言,Galaxy Note10 Lite比Galaxy Note 10(SM-N970)更接近Galaxy Note 3 Neo(SM-N750&n
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三星西安半導(dǎo)體二期工廠或?qū)⒚髂暾酵懂a(chǎn)

  • 半導(dǎo)體行業(yè)一直是科技行業(yè)的重頭,尤其是今年開始,半導(dǎo)體行業(yè)的重要性愈發(fā)顯得突出,隨著5G物聯(lián)網(wǎng)的正式普及,又會(huì)帶動(dòng)新的一波增長趨勢。近日,根據(jù)可靠消息,半導(dǎo)體行業(yè)巨頭三星正考慮對其在中國西安興建的二期半導(dǎo)體工廠進(jìn)行額外投資,據(jù)透露,三星計(jì)劃明年將存儲(chǔ)器芯片設(shè)施的資本支出小幅增加至65億美元。有消息稱,三星西安二期工廠已安裝部分設(shè)備并開始試運(yùn)行,以檢查量產(chǎn)前的情況,預(yù)計(jì)將在2020年2月開始批量生產(chǎn)。2020年5G手機(jī)將掀起一波換機(jī)需求,而中國是重要的市場,同時(shí)對大容量NAND Flash需求也會(huì)增加,在貿(mào)
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三星 sdi介紹

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