三星 sdi 文章 進(jìn)入三星 sdi技術(shù)社區(qū)
全球LED大爆發(fā) 南韓LED 3強(qiáng)誰能勝出?
- 在多項終端產(chǎn)業(yè),諸如筆記型計算機(jī)(NB)、液晶監(jiān)視器、TV及照明等陸續(xù)應(yīng)用LED為背光源的龐大商機(jī)驅(qū)動下,具備自主發(fā)展LED能力的臺、韓大廠紛紛擴(kuò)產(chǎn)因應(yīng)。在韓廠三星電子(Samsung Electronics)、首爾半導(dǎo)體(Seoul Semiconductor)、LG Innotek等大廠積極投資下,未來與臺廠可望有一番強(qiáng)烈較勁,而在世界舞臺上,也能持續(xù)發(fā)光發(fā)熱。 韓廠積極擴(kuò)產(chǎn)LED 在南韓政府強(qiáng)力鼓吹下,南韓LED產(chǎn)業(yè)未來3年預(yù)定總投資金額將高達(dá)4兆韓元(近35億美元),南韓LED產(chǎn)業(yè)
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三星大陸7.5代廠傳本月動工
- 三星電子(Samsung Electronics)日前宣布將赴大陸蘇州設(shè)立1座7.5代面板產(chǎn)線后,外傳三星蘇州廠區(qū)本月動工。 面板業(yè)者表示,對應(yīng)大陸液晶電視成長性需求,南韓包括三星與LG Display紛紛宣布到大陸投資設(shè)立面板前段制程產(chǎn)線,除LG Display選擇落腳在廣州地區(qū)外,三星則選擇在蘇州設(shè)廠。 而日前市場傳出,此次三星將投資約22億美元金額,在蘇州設(shè)立1座尺寸為1,950mm x 2,250mm的7.5代線,相關(guān)業(yè)者指出,三星此次在蘇州設(shè)立的廠區(qū)位于蘇州和艦科技旁,最快本月就
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工信部出手勒“馬韁繩” 液晶面板踩剎車
- 面對嚴(yán)重過剩的平板玻璃產(chǎn)能,工信部終于開始出手勒“馬韁繩”,而這也給不斷上馬的液晶面板項目踩了急剎車。 上周,工信部正式下發(fā)《關(guān)于抑制產(chǎn)能過剩和重復(fù)建設(shè)引導(dǎo)平板玻璃行業(yè)健康發(fā)展的意見》(下稱《意見》),嚴(yán)格市場準(zhǔn)入,并且叫停新建和擴(kuò)建項目。 過去一年時間,TCL、京東方等企業(yè)不惜巨資投資液晶面板項目,三星、LG、惠普、奇美等企業(yè)也加緊在大陸布局,總共有7條液晶生產(chǎn)線落戶中國。這還只是液晶面板的投資,并不包括之前國內(nèi)企業(yè)在其它種類平板玻璃領(lǐng)域的投入。 工信部指出
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三星開始量產(chǎn)兩種新型30nm制程NAND閃存芯片
- 三星近日宣布將開始量產(chǎn)兩款30nm制程NAND閃存芯片產(chǎn)品。其中一種閃存產(chǎn)品采用類似DDR內(nèi)存的雙倍傳輸技術(shù),據(jù)三星公司宣稱,這種產(chǎn)品的讀取帶寬 是傳統(tǒng)閃存芯片的3倍左右,單顆這樣的DDR MLC閃存芯片數(shù)據(jù)傳輸峰值帶寬可達(dá)133Mbps,而舊款閃存芯片則只能達(dá)到40Mbps的水平。 即便將這種芯片應(yīng)用到閃存卡中,也能夠保持60Mbps的持續(xù)讀取速率,同樣比傳統(tǒng)閃存芯片的17Mbps快三倍左右。這種閃存芯片產(chǎn)品既適合智能手機(jī),便攜多媒體播放器等產(chǎn)品,也同樣適用于SSD硬盤等設(shè)備。 另外一款
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三星擬明年投資60億美元擴(kuò)大芯片業(yè)務(wù)
- 北京時間12月2日消息,據(jù)國外媒體報道,《韓國先驅(qū)報》援引匿名消息人士的話報道稱,三星2010年計劃投資約7萬億韓元(約合60億美元)擴(kuò)大芯片業(yè)務(wù)。 消息稱,其中約5萬億韓元(約合43億美元)將用于擴(kuò)大DRAM芯片業(yè)務(wù),2萬億(約合17億美元)韓元將用于擴(kuò)大NAND閃存和邏輯芯片業(yè)務(wù)。 三星2010年芯片投資將比2009年的4萬億韓元(約合34億美元)高75%。10月份發(fā)布第三季度財報時,三星曾表示明年芯片投資將超過5.5萬億韓元(約合47億美元)。
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三星電子2020年銷售額目標(biāo)4000億美元
- 三星電子日前發(fā)表了“暢想世界、創(chuàng)新未來”,同時制定了2020年銷售額4000億美元,力爭成為最大的IT企業(yè)、全球10大企業(yè)、品牌價值全球前5、最受尊敬企業(yè)全球前10、綠色環(huán)保前列企業(yè)等目標(biāo)。 該目標(biāo)是在本月初三星電子成立40周年的紀(jì)念活動上發(fā)表的。三星電子CEO李潤雨在致詞中表示:“在公司成立40周年之際,讓我們向成為百年超一流企業(yè)的新目標(biāo)挑戰(zhàn)!”三星電子為實現(xiàn) vision2020,制定了三大戰(zhàn)略方向,分別為:實現(xiàn)新技術(shù)先導(dǎo)、新市場創(chuàng)出、新生活方
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三星宣布開始量產(chǎn)兩種30nm制程NAND閃存芯片
- 三星近日宣布將開始量產(chǎn)兩款30nm制程NAND閃存芯片產(chǎn)品。其中一種閃存產(chǎn)品采用類似DDR內(nèi)存的雙倍傳輸技術(shù),據(jù)三星公司宣稱,這種產(chǎn)品的讀取帶寬是傳統(tǒng)閃存芯片的3倍左右,單顆這樣的DDR MLC閃存芯片數(shù)據(jù)傳輸峰值帶寬可達(dá)133Mbps,而舊款閃存芯片則只能達(dá)到40Mbps的水平。 即便將這種芯片應(yīng)用到閃存卡中,也能夠保持60Mbps的持續(xù)讀取速率,同樣比傳統(tǒng)閃存芯片的17Mbps快三倍左右。這種閃存芯片產(chǎn)品既適合智能手機(jī),便攜多媒體播放器等產(chǎn)品,也同樣適用于SSD硬盤等設(shè)備。 另外一款三
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09年半導(dǎo)體市場下滑幅度小于預(yù)期,三星表現(xiàn)出色
- 全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)2009年幾乎沒有什么值得高興的事情,營業(yè)收入預(yù)計下降12.4%,且10大供應(yīng)商中只有一家實現(xiàn)增長。但是,飽受打擊的芯片制造商還有一點可聊以自慰:情況沒有變得更糟糕。 “2009年營業(yè)收入比2008年銳減320多億美元,它將作為全球半導(dǎo)體行業(yè)史上最糟糕的年份之一留在人們的記憶之中,”iSuppli公司的高級副總裁Dale Ford表示,“但iSuppli公司下滑12.4%的初步估計,遠(yuǎn)遠(yuǎn)好于2009年初預(yù)期的暴跌逾20%。” &
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手機(jī)內(nèi)存:NAND優(yōu)勢愈加明顯,NOR風(fēng)光不再

- 市場研究機(jī)構(gòu)水清木華日前發(fā)布"2009年手機(jī)內(nèi)存行業(yè)研究報告"指出,NOR閃存在512Mb是個門檻.高于350Mb,NOR閃存的成本飛速增加.同時,NOR閃存的應(yīng)用領(lǐng)域單一,應(yīng)用廠家很少;而NAND閃存則容量越大,成本優(yōu)勢越明顯,應(yīng)用領(lǐng)域更廣泛,應(yīng)用廠家也多.手機(jī)市場變化迅速,現(xiàn)在每一款手機(jī)的生命周期通常都小于5年,NOR最強(qiáng)大的優(yōu)勢"長壽"也不復(fù)存在.盡管NOR閃存的成本在進(jìn)入65納米后也大幅度下降,但是專心NOR領(lǐng)域的只有Spansion.而NAND領(lǐng)域,三
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三星加速制程微縮 DRAM進(jìn)入40納米世代
- 三星電子(Samsung Electronics)加速制程微縮,積極導(dǎo)入40納米制程,第4季已開始小幅試產(chǎn)DDR3,預(yù)計2010年下半40納米將成為主流制程,成本結(jié)構(gòu)再度領(lǐng)先競爭同業(yè),而美光 (Micron)陣營50納米制程2010年大量產(chǎn)出,爾必達(dá)(Elpida)也將導(dǎo)入Extra 65納米制程,之后跳40納米制程,2010年全球DRAM產(chǎn)業(yè)成本進(jìn)一步下滑。 三星目前56納米制程DRAM產(chǎn)能比重超過一半,并已開始小量采用新一代的40納米制程生產(chǎn)DDR3芯片,成本結(jié)構(gòu)再度領(lǐng)先同業(yè),市調(diào)機(jī)構(gòu)預(yù)估,
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