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中國首座DRAM廠動工,三星、海力士冒冷汗
- 韓國經(jīng)濟日報周二報導,國營福建晉華積體電路公司(音譯:Fujian Jinhua Integrated Circuit Co.)在來自聯(lián)電(2303)技術的加持下,已著手建造半導體廠,將藉此切入DRAM市場。 來自產(chǎn)業(yè)內(nèi)的訊息指出,福建晉華上周六已在晉江市,舉行DRAM廠破土動工儀式,第一期工程投資規(guī)模預估來到370億人民幣,或相當于55億美元,2018年投產(chǎn)后每月可產(chǎn)出6萬片晶圓(32奈米)。 據(jù)報導,福建晉華將獲得聯(lián)電技術支援,且全球晶圓代工龍頭臺積電(2330)傳也有參與投資,但未獲
- 關鍵字: DRAM 三星
三星、華為紛發(fā)展自家平臺 Google Android合作伙伴醞釀出走潮
- Google Android與蘋果(Apple)iOS平臺稱霸全球智能型手機市場,盡管短期內(nèi)其他手機平臺很難撼動其地位,然隨著Android陣營兩大手機業(yè)者三星電子(Samsung Electronics)及華為紛著手開發(fā)取代Android的新平臺,目前維持領先態(tài)勢的Android平臺未來恐面臨挑戰(zhàn)。 2016年第1季Android平臺在全球智能型手機市占率達到84%(市調(diào)機構Gartner資料),iOS系統(tǒng)則下滑至14.8%,至于其他手機平臺市占率仍相當?shù)?,包括微?Microsoft)Win
- 關鍵字: 三星 華為
三星SDI等或將無緣第五批動力電池企業(yè)目錄
- 據(jù)內(nèi)部人士透露,三星SDI和LG或將繼續(xù)缺席第五批《汽車動力蓄電池行業(yè)規(guī)范條件》企業(yè)目錄。這也就也就意味著使用三星和LG動力電池的汽車廠家仍然無法獲得補貼。 筆者認為此次三星SDI與LG未入選目錄,原因是多方面的,但究其根本因與以下三點有關: 1.7月8日韓美軍方在首爾發(fā)表聯(lián)合聲明稱,韓美決定在駐韓美軍基地部署末段高空區(qū)域防御系統(tǒng)即“薩德”系統(tǒng)。薩德”反導系統(tǒng)損害了中國的戰(zhàn)略安全利益,破壞了地區(qū)的戰(zhàn)略平衡。中方對此表示強烈不滿和堅決反對。 2.國內(nèi)
- 關鍵字: 三星 SDI 動力電池
三星與IBM聯(lián)手打造STT-MRAM
- 據(jù)韓媒BusinessKorea報道,IBM和三星近日在IEEE上發(fā)布研究論文稱,兩家公司聯(lián)手打造了一種被稱為STT-MRAM的新內(nèi)存,有望成為目前DRAM內(nèi)存的最實際接替者。 DRAM,即動態(tài)隨機存取存儲器,目前最大的發(fā)展障礙就是其很難被壓縮至10nm以下,因此兩家公司研發(fā)的STT-MRAM(自旋傳輸磁性記憶體)首先就將解決這一問題。 另外,新內(nèi)存也將擁有更高的傳輸速度且更加省電,理論性能也將超越DRAM。 業(yè)界認為,這可能是目前DRAM的最佳接替者,因為95%的DRAM制造設施都
- 關鍵字: 三星 DRAM
諾基亞三星簽署新協(xié)議 擴展專利交叉授權范圍

- 據(jù)國外媒體報道稱,諾基亞已經(jīng)在當?shù)貢r間周三宣布,公司與韓國三星就擴展專利交叉許可協(xié)議至雙方公司的某些額外專利組合達成了一致,而該協(xié)議是兩家公司于2016年2月和解專利糾紛仲裁結果之后達成的最新協(xié)議。 在此協(xié)議正式生效后,諾基亞預計將會從2016年第三季度開始對諾基亞創(chuàng)新科技(Nokia Technologies)的凈銷售額產(chǎn)生積極影響。同時,諾基亞創(chuàng)新科技專利和品牌許可年度凈銷售額則預計將在2016年底增長至9.5億歐元(約合10.5億美元)左右。 對此,諾基亞技術部門總裁拉姆齊-海達姆斯
- 關鍵字: 諾基亞 三星
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