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三星、SK海力士、美光第二季Server DRAM營收季增30.1%
- 集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)調(diào)查顯示,回顧第二季度,整體ServerDRAM供給吃緊,即使原廠透過產(chǎn)品線調(diào)整仍無法有效緩解市場需求的力道,在平均零售價(AverageSellingPrice)墊高的帶動下,三星、SK海力士、美光三大DRAM原廠第二季整體營收較第一季成長約30.1%。 DRAMeXchange分析師劉家豪指出,由于ServerDRAM平均搭載容量的提升,整體高容量服務(wù)器模組如32GBRDIMM與64GBLRDIMM的使用需求在上半年陸續(xù)浮現(xiàn),使得Server
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韓內(nèi)存廠大缺工! 三星:工作量滿檔、無力應(yīng)付訂單
- 三星電子(SamsungElectronics)、SK海力士(SKHynix)礙于南韓新頒布的學(xué)生不得加班法令,滿手訂單卻陷入缺工困境,正急著大舉招募新人幫手。 南韓中央日報(KoreaJoongAngDaily)14日報導(dǎo)(見此),南韓去(2016)年8月禁止學(xué)生加班或在假日打工,過去習(xí)慣聘用學(xué)生補足制造廠房空缺的三星,在半導(dǎo)體廠需24小時不斷運作的情況下,開始面臨缺工問題。 三星一名主管說,工作量如今積到天花板,已經(jīng)無力應(yīng)付訂單,再加上公司還在擴充產(chǎn)品線,有專長的員工現(xiàn)在真的很缺。三星
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如何看待半導(dǎo)體市場的“攪局者”?
- 任何國家都有權(quán)決定自身的發(fā)展策略,而中國決心發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)由來已久。中國每年進口芯片的金額達到千億美元數(shù)量級,自主生產(chǎn)只有近10%,想要改變這種不合理的現(xiàn)狀是一件天經(jīng)地義的事情。因此,某些西方論點把矛頭指向中國半導(dǎo)體業(yè),稱中國是“攪局者”是不公平的。 矛頭指向中國有失公允 日經(jīng)中文網(wǎng)近期報道稱,世界的半導(dǎo)體市場此前一直以美韓日廠商唱主角,現(xiàn)在中國企業(yè)正試圖參與進來,指責(zé)中國企業(yè)的巨額投資很有可能成為半導(dǎo)體市場混亂的風(fēng)險因素。 任何國家都有權(quán)決定自身的發(fā)展策略,
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創(chuàng)維三星等三大電視廠被廣晟數(shù)碼訴專利侵權(quán)
- 這是國內(nèi)電視行業(yè)首例圍繞標(biāo)準(zhǔn)必要專利的訴訟糾紛,此次訴訟對于未來國內(nèi)專利的收費執(zhí)行和費率標(biāo)準(zhǔn)將會有討論和示范意義,亦有可能影響到相關(guān)政府部門對行業(yè)政策的制定思路 近日,創(chuàng)維、三星、海信接連被訴專利侵權(quán),且原告都是同一家公司——掌握音頻編解碼標(biāo)準(zhǔn)必要專利的廣州廣晟數(shù)碼技術(shù)有限公司(以下簡稱“廣晟數(shù)碼”)。 DRA(Digital Rise Audio)是廣晟數(shù)碼開發(fā)的一項數(shù)字音頻編碼技術(shù)。本次涉案的三項發(fā)明專利分別為“音頻解碼(專利
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英特爾/三星等大廠采用獨資模式
- 相較于一線廠都是獨資,二線廠則采合資形態(tài),原因很簡單,因為各地政府基金都要求,二線廠可少出一點錢,取得一定比率的技術(shù)股,但必須帶技術(shù)去。 在大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中比較被看好的城市,例如光纖技術(shù)重鎮(zhèn)的武漢、具國防電子基礎(chǔ)的西安,以及擁有家電、筆電及面板等產(chǎn)業(yè)的合肥,這些地方不僅具備產(chǎn)業(yè)聚落,電子相關(guān)科技的學(xué)研單位眾多,人才不虞匱乏,產(chǎn)業(yè)前景較被看好。 不過,即使擁有其他產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ),但半導(dǎo)體技術(shù)終究不同,大陸想全面投入,仍得引進國際大廠技術(shù)。 只是,包括英特爾投資遼寧大連、三星投資西安、 SK 海力士
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三星計劃調(diào)整Q4Mobile DRAM合約價 漲幅約10%
- 全球DRAM龍頭韓國三星電子近期通知相關(guān)電子委托制造廠,計劃調(diào)漲第4季行動式存儲器(Mobile DRAM)合約價,漲幅近一成,反映DRAM供貨短缺仍未紓解,漲勢可望延續(xù)至今年第4季,南亞科和華邦電等同步受惠。 存儲器業(yè)者強調(diào),DRAM從去年起漲,主要受惠資料中心的服務(wù)器用DRAM需求強勁,加上網(wǎng)通類產(chǎn)品的需求隨導(dǎo)入嵌入式多芯片封裝存儲器的整合架構(gòu),帶動DRAM需求增加,但供給端因DRAM產(chǎn)業(yè)制程已接近極限,前三大廠包括三星、SK海力士和美光等也未增建新廠,造成供貨緊縮,使平均銷售單價居高不下,
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國際大廠半導(dǎo)體技術(shù)滴水不漏,大陸只能拉攏二線廠
- 相較于一線廠都是獨資,二線廠則采合資形態(tài),原因很簡單,因為各地政府基金都要求,二線廠可少出一點錢,取得一定比率的技術(shù)股,但必須帶技術(shù)去。 在大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中比較被看好的城市,例如光纖技術(shù)重鎮(zhèn)的武漢、具國防電子基礎(chǔ)的西安,以及擁有家電、筆電及面板等產(chǎn)業(yè)的合肥,這些地方不僅具備產(chǎn)業(yè)聚落,電子相關(guān)科技的學(xué)研單位眾多,人才不虞匱乏,產(chǎn)業(yè)前景較被看好。 不過,即使擁有其他產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ),但半導(dǎo)體技術(shù)終究不同,大陸想全面投入,仍得引進國際大廠技術(shù)。 只是,包括英特爾投資遼寧大連、三星投資西安、 SK 海力士
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三星又一專利被判無效!反制華為想法或落空
- 三星又一件智能手機相關(guān)專利被判無效了。 而這已是三星在不到一個月內(nèi),第二件被宣告全部無效的發(fā)明專利。 截至目前,三星據(jù)以起訴華為專利侵權(quán)的相關(guān)發(fā)明專利,已有三件走完專利無效宣告程序,其中,兩件已被宣告全部無效,這意味著在相關(guān)專利侵權(quán)糾紛的法院審理環(huán)節(jié),三星也將會處于不利地位,甚至存在敗訴的風(fēng)險。 華為率先發(fā)難,三星強勢回懟,專利大戰(zhàn)所涉專利達數(shù)十件 圍繞華為與三星的專利糾紛大戰(zhàn),率先發(fā)難的是華為。 2016年5月25日,華為對外宣布在美國和中國提起對三星公司的知識產(chǎn)權(quán)訴訟
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韓內(nèi)存廠大缺工! 三星:工作量滿檔、無力應(yīng)付訂單
- 三星電子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix)礙于南韓新頒布的學(xué)生不得加班法令,滿手訂單卻陷入缺工困境,正急著大舉招募新人幫手。 南韓中央日報(Korea JoongAng Daily)14日報導(dǎo)(見此),南韓去(2016)年8月禁止學(xué)生加班或在假日打工,過去習(xí)慣聘用學(xué)生補足制造廠房空缺的三星,在半導(dǎo)體廠需24小時不斷運作的情況下,開始面臨缺工問題。 三星一名主管說,工作量如今積到天花板,已經(jīng)無力應(yīng)付訂單,再加上公司還在擴充產(chǎn)品線,有專長的員工現(xiàn)在真的很
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三星、SK海力士、美光第二季Server DRAM營收季增30.1%

- 集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)調(diào)查顯示,回顧第二季度,整體Server DRAM供給吃緊,即使原廠透過產(chǎn)品線調(diào)整仍無法有效緩解市場需求的力道,在平均零售價(Average Selling Price)墊高的帶動下,三星、SK海力士、美光三大DRAM原廠第二季整體營收較第一季成長約30.1%。 DRAMeXchange分析師劉家豪指出,由于Server DRAM平均搭載容量的提升,整體高容量服務(wù)器模組如32GB RDIMM與64GB LRDIMM的使用需求在上半年陸續(xù)浮現(xiàn),使得
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三星Unpacked發(fā)布會參考數(shù)據(jù)
- 三星電子的最新Unpacked發(fā)布會(詳情)將于8月23日在美國紐約市舉行,屆時Galaxy Note 8也將正式揭開面紗。如果您需要在相關(guān)報道中引入專業(yè)的分析和觀點,Gartner的分析師將一如既往地為您提供支持,聯(lián)系方式請見下文。其中,Gartner負(fù)責(zé)研究三星公司的首席分析師Werner Goertz先生將在現(xiàn)場參與大會全過程?! ‰S信附件為與本次發(fā)布會相關(guān)的支持性數(shù)據(jù),包含2007年至2016年智能手機市場數(shù)據(jù)以及2017年第一季度智能手機市場數(shù)據(jù)。
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三星將推更大容量的消費級SSD:單芯片1.5TB
- 近年來,固態(tài)硬盤已經(jīng)成為了許多發(fā)燒友和OEM廠商的標(biāo)配。但是對于大多數(shù)用戶來說,存儲容量仍然是他們堅守機械硬盤的一個主要原因。好消息是,三星決定用QLC技術(shù)加持的NAND存儲芯片,消除SSD與傳統(tǒng)HDD之間的這一容量上的鴻溝。盡管速度上比不過當(dāng)前市面上常見的TLC產(chǎn)品,但QLC最大的優(yōu)勢就是存儲密度,最終產(chǎn)品中甚至可以封裝進一顆1.5TB的單芯片。 如果在一塊SSD中塞入32顆這樣的芯片,存儲容量可輕松達到48TB——盡管三星早已計劃推出128TB的企業(yè)級SSD,但此類產(chǎn)
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三大內(nèi)存罕見同時缺貨,三星DRAM再漲10%

- DRAM、NAND Flash和NOR Flash三大內(nèi)存持續(xù)供貨短缺,創(chuàng)下史上罕見同缺記錄。 其中DRAM和NAND內(nèi)存,更寫下史上最長漲勢。 內(nèi)存業(yè)界表示,2008及2015年都出現(xiàn)過DRAM大漲,但多是因跌深或供貨商發(fā)生爆炸意外所造成的供需失衡,且DRAM和NAND Flash產(chǎn)能會排擠,很少看到兩大內(nèi)存同漲。 這次DRAM和NAND內(nèi)存兩大內(nèi)存缺貨超乎預(yù)期且價格上漲,主要來自數(shù)據(jù)中心、移動設(shè)備及計算機三大領(lǐng)域應(yīng)用需求強,前三大廠包括三星、SK海力士和美光等也未增建新廠,造成供貨緊縮
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