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安森美電源方案事業(yè)群 Mrinal K.Das博士(左)， Bryan Lu
攻克SiC的發(fā)展瓶頸,推進(jìn)在汽車和工業(yè)中的應(yīng)用
Bryan Lu:碳化硅（SiC）是新一代寬禁帶（WBG）半導(dǎo)體材料，具有出色的RDS(ON)*Qg品質(zhì)因數(shù)(FoM)...
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北京三安光電有限公司副總經(jīng)理 陳東坡博士
從國(guó)際龍頭企業(yè)布局看SiC產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢(shì)
碳化硅（SiC）具有高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高熱導(dǎo)率、高飽和電子漂移速率等特點(diǎn)，可很好地滿足新能源汽車與充電樁、光伏新能源、智能電網(wǎng)...
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意法半導(dǎo)體汽車和分立器件產(chǎn)品部(ADG)功率晶體管事業(yè)部市場(chǎng)溝通經(jīng)理 Gianfranco DI MARCO
ST在SiC和GaN的發(fā)展簡(jiǎn)況
ST（ 意法半導(dǎo)體） 關(guān)注電動(dòng)汽車、充電基礎(chǔ)設(shè)施、可再生能源和工業(yè)應(yīng)用，將最新一代STPOWER SiC MO-SFET和二極管部署在這些應(yīng)用領(lǐng)...
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納芯微市場(chǎng)總監(jiān)
高金萍
SiC和GaN的技術(shù)應(yīng)用挑戰(zhàn)
相比傳統(tǒng)MOSFET和IGBT方案，SiC 和GaN器件提供更高的功率密度，具備更低的柵極驅(qū)動(dòng)損耗和更高的開關(guān)速度。...
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東芝電子元件(上海)有限公司半導(dǎo)體技術(shù)統(tǒng)括部/技術(shù)企劃部高級(jí)經(jīng)理 黃文源
東芝在SiC和GaN的技術(shù)產(chǎn)品創(chuàng)新
雖然硅功率器件目前占據(jù)主導(dǎo)地位，但SiC（碳化硅）和GaN（氮化鎵）功率器件正日益普及。...
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安世半導(dǎo)體中國(guó)區(qū)SiC產(chǎn)品市場(chǎng)戰(zhàn)略副總監(jiān) 王駿躍
SiC和GaN的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)與技術(shù)挑戰(zhàn)
我們對(duì)汽車、工業(yè)、數(shù)據(jù)中心和可再生能源等廣泛市場(chǎng)中的碳化硅(SiC) 和氮化鎵（GaN）應(yīng)用感興趣。...
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羅姆半導(dǎo)體(上海)有限公司技術(shù)中心副總經(jīng)理 周勁
羅姆GaN器件帶來(lái)顛覆性革命,體積減少99%,損耗降低
如今，電源和電機(jī)的用電量占全世界用電量的一大半，為了實(shí)現(xiàn)無(wú)碳社會(huì)，如何提高它們的效率已成為...
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Transphorm業(yè)務(wù)發(fā)展和市場(chǎng)營(yíng)銷高級(jí)副總裁 Philip Zuk
SuperGaN使氮化鎵產(chǎn)品更高效
Transphorm 是GaN（氮化鎵）功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的全球領(lǐng)先企業(yè)，致力于設(shè)計(jì)和制造用于新世代電力系統(tǒng)...
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德州儀器
氮化鎵 (GaN) 帶來(lái)電源管理變革的 3 大原因
作為提供不間斷連接的關(guān)鍵，許多數(shù)據(jù)中心依賴于日益流行的半導(dǎo)體技術(shù)來(lái)提高能效和功率密度...
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