三星計劃復(fù)興Exynos處理器芯片

據(jù)報道，三星電子一度失寵的 Exynos 處理器正通過定于明年推出的旗艦產(chǎn)品 Galaxy S24 系列力爭復(fù)活。

此次卷土重來可能為三星的一系列核心業(yè)務(wù)提供主要動力，包括智能手機(jī)、芯片設(shè)計和芯片制造，所有這些業(yè)務(wù)在臺積電和蘋果等競爭對手的激烈競爭中都迫切需要突破。

據(jù)多家媒體和消息人士透露，三星電子將在 Galaxy S24 系列中重新推出 Exynos 芯片組——Exynos 2400。例如，據(jù)爆料者 Ice Universe 稱，歐洲 Galaxy S24 將“100%”由 Exynos 2400 芯片組供電。 三星尚未證實這一消息，稱詳細(xì)的芯片組策略只有在 Galaxy S24 系列即將推出時才會公布，即明年 2 月左右的某個時間。 美國、中國和日本等其他一些市場很可能會使用高通的Snapdragon 8 Gen 3。    三星移動業(yè)務(wù)負(fù)責(zé)人Roh Tae-moon在談到其芯片戰(zhàn)略時一直堅持“提供最佳客戶體驗”。 

一些泄露的基準(zhǔn)測試表明，Exynos 芯片組在 GPU 性能等特定功能方面獲得了重大提升，盡管仍有很多工作要做。

Exynos 2400 在 Geekbench 上的單核和多核測試平均得分分別為 1,530 和 6,210，而適用于 Galaxy S23 的高通 Snapdragon 8 Gen 2 的平均得分為 1,578 和 5,081。 

降低成本

三星過去在Galaxy S系列上選擇了雙軌策略，同時部署自家芯片組和高通設(shè)計的芯片組，以在價格談判中占據(jù)上風(fēng)。

但是，當(dāng) Galaxy S22 中部署的 Exynos 2200 芯片在 2022 年因過熱而損壞時（三星試圖通過預(yù)裝的游戲優(yōu)化服務(wù) (GOS) 應(yīng)用程序來解決該問題，該應(yīng)用程序限制了手機(jī)的其他功能），內(nèi)部芯片組立即被拋出窗外。

因此，下一個系列 Galaxy S23 完全采用采用臺積電 4 納米技術(shù)制造的高通 Snapdragon 8 代芯片組。

銷售數(shù)據(jù)證明，轉(zhuǎn)變的芯片策略是成功的，S23 在前 6 個月的出貨量為 1860 萬臺，比去年同期 S22 的 1510 萬臺增長了 23%。 

但將所有移動芯片組外包給高通有一個問題：價格。 

根據(jù)該公司的半年報，由于完全依賴高通芯片，三星今年上半年在移動應(yīng)用處理器（AP）采購上花費了 5.75 萬億韓元。 

這比去年上半年的 4.5 萬億韓元增加了 30%。 

Meritz證券公司  研究員 Kim Sun-woo 表示：“降低成本對于智能手機(jī)制造商至關(guān)重要，尤其是當(dāng)市場增長乏力時，你必須為每部智能手機(jī)留出很大的利潤?！?br />
“特別是對于擁有芯片設(shè)計和制造能力的三星來說，將其外包給高通和臺積電會讓人感覺血本無歸。Exynos 的部署將能夠在很大程度上降低成本，但這不會導(dǎo)致手機(jī)價格最終下降?！?br />
據(jù)了解，AP 約占智能手機(jī)制造成本的 20%。

逼近臺積電 

Exynos 2400 為三星提供了縮小與臺積電差距的機(jī)會，臺積電是業(yè)界的主導(dǎo)廠商，負(fù)責(zé)處理蘋果和高通的大部分芯片。 由于蘋果新款 iPhone 15 系列中最新的 A17 芯片目前陷入過熱問題，臺積電的主導(dǎo)地位即將受到威脅。罪魁禍?zhǔn)妆恢笧榕_積電，該公司使用其 3 納米技術(shù)制造 A17 芯片。這是首次將 3 納米節(jié)點用于移動芯片，但顯然該技術(shù)還不成熟。  如果過熱問題不盡快得到解決，臺積電的主要客戶高通和其他尋找芯片制造合作伙伴的芯片設(shè)計商可能會轉(zhuǎn)向三星電子。 

祥明大學(xué)系統(tǒng)半導(dǎo)體工程系教授 Lee Jong-hwan 表示：“對于芯片設(shè)計者來說，供應(yīng)鏈多元化幾乎總是一種有利的策略，可以用來協(xié)商價格并制定備用計劃，以防發(fā)生意外。” “這對于三星電子來說無疑是一個提升其代工[代工芯片制造]業(yè)務(wù)的機(jī)會?！?br /> 
據(jù)稱，高通將與臺積電在其 4 納米節(jié)點上生產(chǎn) Snapdragon 8 Gen 3 芯片組。然而，預(yù)計將在 3 納米節(jié)點上制造并定于明年推出的第四代版本仍有待觀察。 
 
Hi Investment & Securities 分析師 Park Sang-wook 表示，三星電子 3 納米芯片的良率約為 60%。據(jù)了解，臺積電的 3 納米工藝良率在 55% 至 70% 之間。 
 
“三星比競爭對手更早在其 3 納米工藝上部署了所謂的 GAAFET 技術(shù)。這可能會讓三星在這個先進(jìn)制造領(lǐng)域獲得更多新客戶?！盤ark 在報告中說道。 

來源：商業(yè)周刊（臺）

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