隨著 5G 通訊、電動(dòng)車等新興應(yīng)用對(duì)功率元件效能需求提高，相較于第一代材料硅（Si）、鍺（Ge）以及第二代砷化鎵（GaAs）和磷化銦（InP）對(duì)于溫度、頻率、功率已達(dá)極限，難以應(yīng)用在更嚴(yán)苛環(huán)境上，第三代半導(dǎo)體的碳化硅（SiC）及氮化鎵（GaN）在耐高溫、高電流的環(huán)境下仍有極佳效能，所以市場(chǎng)將目光轉(zhuǎn)向第三代半導(dǎo)體。
因?yàn)椴牧咸匦?，SiC和GaN 用途不同，目前第三代半導(dǎo)體可分為3 大應(yīng)用，但隨著科技持續(xù)發(fā)展，在應(yīng)用上將出現(xiàn)更多的想像空間。
