飛兆半導體公司專為功率及移動設計提供高能效、易于使用及高增值的半導體解決方案。飛兆半導體擁有業(yè)界最廣泛而全面的產品種類，功耗范圍從1W到1200W以上，能夠最大限度地提高電子設備如PDA、智能手機、筆記本電腦、智能筆記本、上網(wǎng)本、高分辨率平板顯示器和監(jiān)視器、DVD、機頂盒、電源、電池組、電源適配器、馬達控制和工廠自動化、點火和引擎管理、照明系統(tǒng)等的能效。

飛兆半導體與領先的電子產品制造商客戶密切合作，了解未來產品的功率設計挑戰(zhàn)，再綜合不同的解決方案，從而最大限度地減少電力需求，為客戶帶來能滿足功效、噪聲或其他政府法規(guī)要求的優(yōu)點。

飛兆半導體一直堅守以客為尊的信念，幫助客戶開發(fā)與眾不同的產品，并以飛兆半導體在功率和信號路徑產品上的專業(yè)知識解決客戶遇到的技術困難。

電源工程師一直面對減小應用空間和提高功率密度的兩個主要挑戰(zhàn)，而在筆記本電腦、負載點、服務器、游戲和電信應用中，上述兩點尤為重要。飛兆半導體 FDMS36xxS系列功率級非對稱雙MOSFET模塊則能夠幫助設計人員應對這些挑戰(zhàn)。

FDMS36xxS系列器件在PQFN封裝中結合了控制和同步MOSFET，以及一個肖特基體二極管。這些器件的開關節(jié)點已獲內部連接，能夠輕易進行同步降壓轉換器的布局和走線。控制MOSFET(Q1)和同步MOSFET(SyncFET?)(Q2)經專門設計，為高達30A的輸出電流實現(xiàn)最佳功效。FDMS36xxS系列將上述器件集成在一個模塊中，可替代兩個或更多的5mm x 6mm PQFN、S08和DPAK封裝，有效減少線路板空間。

FDMS36XXS系列產品采用飛兆半導體先進的電荷平衡架構(屏蔽柵極技術)和先進封裝技術，可在高性能計算的額定擊穿電壓下，獲得低于2mΩ的業(yè)界領先低端RDS(ON) 。該系列產品經過優(yōu)化，以便最大限度地減小300kHz至600KHz范圍的綜合傳導損耗和開關損耗，為負載點和多相同步降壓DC-DC應用帶來可靠的最高功效。

FDMS36xxS系列功率級非對稱雙MOSFET使用獨特的屏蔽電壓調制架構和超低源極電感封裝設計，具有低開關噪聲、低設計變化敏感度和較高的設計可靠性。低開關噪聲可以省去需要外部緩沖器或柵極電阻的緩減設計，從而降低設計BOM成本并且節(jié)省額外的線路板空間。