英飛凌最新的TRENCHSTOP?5系列IGBT再一次定義了同級產(chǎn)品的最佳性能!
與市場上現(xiàn)有的產(chǎn)品相比,TRENCHSTOP?5 IGBT有著極低的導(dǎo)通和開關(guān)損耗。另外,全新開發(fā)的反并聯(lián)Rapid快恢復(fù)二極管進一步改善了開通損耗和開通特性,因此在硬開關(guān)拓撲中有著無與倫比的效率以及極佳的溫升特性,同時提供了650V的擊穿耐壓來滿足更高的設(shè)計裕量要求,如太陽能電池板最大功率點跟蹤。該系列產(chǎn)品可以應(yīng)用在諸如不間斷電源(UPS),逆變焊機,太陽能逆變器等等。
TRENCHSTOP?5系列目前提供兩類產(chǎn)品: H5 和F5。其中,H5致力于客戶端的易用性,與上一代產(chǎn)品H3相比,在設(shè)計中無需大的更改即可實現(xiàn)更高的效率以及極佳的性價比。而F5致力于實現(xiàn)致力于實現(xiàn)IGBT最佳的性能,因此需要進一步改善線路布局以及調(diào)整驅(qū)動參數(shù)來發(fā)揮器件的特點。比如,在太陽能設(shè)計當(dāng)中,通過使用F5,在傳統(tǒng)的H4拓撲上可以輕松實現(xiàn)98%的效率。而在傳統(tǒng)的開關(guān)電源設(shè)計當(dāng)中,與典型的MOSFET方案相比,F(xiàn)5也提供了另外一種可能性。
TRENCHSTOP?5是IGBT技術(shù)的一個質(zhì)的飛躍,因為它同時提供了效率的大幅改善以及可靠性的提升,因此可以進一步降低系統(tǒng)成本,或者是功率密度的提升。 而這兩點對于功率系統(tǒng)設(shè)計來講都是極具吸引力的,因而也必將對當(dāng)今甚至是未來的設(shè)計產(chǎn)生深遠的影響。 |